第1369章 znote5的探索版 (第1/2页)
“陈总，卢总，首先是陆教授那边最新研发的凌霄H4处理器，上个礼拜已经从TSMC正式流片封装回来了。我们工程团队这几天加班加点，已经把首批芯片贴片装到了ZnOte5的EVT工程样机上，正在进行高强度的底层联调测试。”
“不过陈总，从目前我们跑出来的实验室数据来看，这颗凌霄H4除了在影像端新增了独立的双12bit ISP图像信号处理器，以及把大核最高主频调制拉高到了2.4GHZ之外，在CPU底层微架构和能耗比上，其他的升级幅度并不算太大。目前工程组正在抓紧时间做温控曲线和频率调度的摸底测试。”
坐在办公桌后的陈星拿起其中一台工程机，按亮屏幕看了一眼底层硬件信息，神色平静地点了点头：
“我明白，实际情况我前两天听陆教授汇报过了。”
对于这颗被命名为凌霄H4的芯片，陈星心里的预期一直很客观。
严格来说，这颗对外命名为凌霄H4的芯片，如果按照红星内部的技术迭代标准，称呼它为“凌霄H3 PrO”或者“凌霄H3 PlUS”其实更加合适。
跟上个月王藤在闪耀K30上用的那颗超频版凌霄H3相比，这颗凌霄H4在核心CPU微架构上并没有做推倒重来的大改动，依然采用的是台积电成熟的28nm HPM工艺制程。
受限于目前的晶圆代工成本和半导体制程工艺瓶颈，陆远江的团队并没有在这颗走量的旗舰芯片上进行大刀阔斧的激进改动。
除了微调核心主频、换上更强的双ISP之外，最主要的改动就是把内存控制器进行了升级，支持的内存带宽由原本的LPDDR3 12.2GB/S，提升到了更快的LPDDR3 14.6GB/S，而底层的制造工艺，依然稳扎稳打地沿用了台积电最成熟的制程。
“陈总，受限于今年的工艺节点，陆教授团队在凌霄H4上走的是稳扎稳打的路线。”
陈星轻轻点了点头，手指在工程机的背板上摸了摸：“理解。今年和明年上半年，是整个移动半导体行业最难熬的工艺断代期，稳一点是对的。”
至于为什么不在CPU制程上直接一步到位冲上最新的20nm工艺？
这里头就不得不提到整个全球智能手机行业，在2014年到2015年即将迎来的那场至暗时刻了。
对于全球所有的芯片设计公司和手机厂商而言，2014年和2015年，注定是极其难熬的两年。
原因很简单，摩尔定律在平面晶体管时代，已经彻底撞上物理极限的南墙了。
统治了行业两年的28nm HPM工艺，潜力已经被榨干到了极致。
如果继续在28nm上强行拉高核心主频、堆砌晶体管数量，必然会导致严重的栅极漏电现象，随之而来的就是功耗失控、发热爆炸。
为了突破28nm的限制，TSMC今年确实量产了全新的20nm平面工艺。
水果下半年的A8芯片，以及高通那边正在紧锣密鼓筹备的骁龙810，全都一窝蜂地扑向了台积电的20nm产
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