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第1369章 znote5的探索版

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    第1369章 znote5的探索版 (第2/2页)

线。

    但只有真正经历过这一切的陈星清楚,20nm的平面工艺,完全就是一个彻头彻尾的半吊子陷阱!

    在没有引入三维立体结构之前,20nm平面工艺的绝缘层非常薄,电子隧穿效应带来的静态漏电比28nm还要恐怖得多。

    稍微一跑高负载任务,芯片核心温度瞬间就飙升,紧接着就是疯狂降频锁核。

    前世高通的骁龙810为什么会化身“火龙”,在2015年把一众安卓旗舰机型烧得尸横遍野?

    罪魁祸首就是TSMC这代不成熟的20nm平面工艺!

    (当然,这里有点绝对了,还有核心,强行64位等因素。)

    目前整个半导体行业,其实都在苦苦等待台积电和三星16nm/14nm FinFET的3D立体工艺能够真正走向成熟量产。

    在这段青黄不接的真空期里,对红星而言同样是比较难过的。

    所以在陈星的亲自干预下,陆教授的团队放弃了去趟20nm平面工艺的浑水,只在凌霄H4上做了外围ISP和内存带宽的小幅迭代,把功耗控制在安全线内,是最稳妥的做法。

    至于红星用来炫技和探索极限的绝影系列芯片嘛……那个无所谓,向来是有多激进搞多激进,反正绝影系列立项之初就是奔着亏钱做技术验证去的。

    陈星放下点亮屏幕的样机,顺手拿起桌上另外两台未开机的工程机,翻过来仔细打量着它们的机身背面。

    看到陈星的动作,扬拓立刻上前一步,指着三台手机截然不同的后盖材质介绍道:

    “陈总,因为今年芯片层面的性能跨度不算大,所以我们在ZnOte5的外观工业设计和材质工艺上,按照你的设计,后盖我们一共准备了三个版本。”

    扬拓先指向最左边那台呈现出深邃银蓝双色渐变光泽的机器:“这一台是ZnOte5探索版,就是上次我说的电致变色。”

    “中间这台是陶瓷尊享版,最右边这台则是走量的标准版,采用的是3D热弯康宁大猩猩玻璃后盖。”

    卢伟兵在旁边拿起那台电致变色版的工程机,在手里把玩了两下,看着后盖跟变魔术一样变化,忍不住赞叹道:“可以啊扬拓,这变色后盖有点东西。”

    扬拓苦笑一声,对着卢伟兵说:“卢总,确实有点东西,可成本也很贵,目前良率还没超过15%,单片成本在400多块。”

    “到时候怎么定价都是个问题呢。”

    卢伟兵一边把玩一边说:“定价你怕什么,红星ZnOte4探索版,定价9998我看一点都不过分,反正也不会卖特别多,把单价利润提上去就是了。”

    没搭理卢伟兵,扬拓接着说道:

    “至于机身正面,把屏幕分辨率从1080P正式升级到了1.5K级别,前置依然保留了步进电机驱动的升降式摄像头。”

    不过,当说到升降式摄像头这几个字的时候,扬拓脸上的神色稍微迟疑了一下,抬头看向陈星。

    “陈总,关于这个前置升降摄像头,有个新的技术动向我得向您请示一下。”
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